Склокераміка на основі індіаліту/кордієриту (Mg2Al4Si5O18) з низькою діелектричною проникністю 4,7 і високою добротністю >200 × 103 ГГц прогнозується для використання як матеріал для мікро/міліметрових хвиль в системах мобільного зв'язку п'ятого покоління (5G). Склокераміка має серйозну проблему розтріскування, спричинену анізотропним ростом кристалів під час поверхневої кристалізації. У цій роботі розтріскування вдалося запобігти шляхом додавання TiO2, який діє як затравка. Склокераміка, отримана без розтріскування, складалася зі сферичних кристалів діаметром приблизно 10 мкм, утворених об'ємною кристалізацією. Осадові фази склокераміки, кристалізовані при 1200-1350 ◦С/10 год і 20 год, складалися з індіаліту, кордієриту, Al2TiO5 і рутилу. Склокераміка, кристалізована протягом 10 годин, була проаналізована методом Рітвельда. Індіаліт випадає в осад як проміжна метастабільна сполука при нижчій температурі 1200 ◦C і перетворюється на кордієрит при температурі кристалізації. Реакція між кордієритом і TiO2 призвела до утворення нової фази Al2TiO5. Кількість Al2TiO5 і рутилу впливала на мікрохвильові діелектричні властивості. Зокрема, кількість рутилу впливала на ТКХ. У випадку додавання 10 мас. % TiO2 і кристалізації при 1250 ◦C протягом 10/20 годин значення ТКХ покращилися до -2/-8 ppm/◦C.